Silizium-Wafer erhalten vor der fotolithografischen Behandlung meist eine Isolierschicht, auch dielektrische Schicht genannt. Diese wird in Vertikal-Öfen oder in Single-Wafer-CVD-Systemen durch einen Diffusionsprozess erzeugt. Auch weitere funktionelle Schichten können mittels CVD (Chemical Vapour Deposition) oder PVD (Physikal Vapour Deposition) auf einzelnen Wafern oder auf Teilen der Wafer abgeschieden werden. Anschließend erfolgen mehrere Ätzschritte zur Funktionalisierung.

Bei den in diesen Verfahren zum Handling der Si-Wafer eingesetzten Materialien müssen höchste Reinheit, Temperaturbeständigkeit und chemische Inertheit gewährleistet sein. Dementsprechend eignen sich Quarzglas, Aluminiumoxid und Siliziumkarbid am besten für die Herstellung von Bauteilen solcher Anlagen.