Transistoren aus Silizium-Kristallen sind in der Regel mit Phosphor-, Bor- oder Arsen-Atomen dotiert, um eine optimale Funktion zu gewährleisten. Tiefe und Grad der Dotierung werden durch Ionen-Implantation erzeugt.

Ionenimplanter bestehen im Prinzip aus einem Rohr, in dessen Innerem Hochvakuum herrscht. Sie stehen zwischen dem Wafer und einer Quelle mit Phosphor-, Bor- oder Arsen-Ionen. Unter Hochspannungen von ca. 500.000V werden diese Teilchen beschleunigt, so dass sie bis ca. 1 mm in das Silizium eindringen. Den Ionenstrahl erzeugen Graphitelektroden, Blenden aus Graphit helfen beim Lenken und Fokussieren der frei gesetzten Ionen. Am besten eignen sich hierfür mit Siliziumkarbid oder Pyrokohlenstoff beschichtete Graphitbauteile. Trotz ihrer extrem guten chemischen Beständigkeit sorgt der ständige Kontakt mit dem Ionenstrahl für Verschleiß, der einen regelmäßigen Austausch erfordert.