Die Fertigung von Silizium-Wafern beginnt mit der Herstellung eines Siliziumeinkristalls. Hierfür stehen verschiedene Verfahren zur Auswahl, von denen das Czochralski-Verfahren das bekannteste ist. Über einen Impfkristall werden dabei große Ingots aus der Silizium-Schmelze gezogen. Diese befindet sich in einem Quarzglastiegel, der wiederum von einem CFC-Tiegel gestützt wird. Zum Aufheizen des CFC-Tiegels werden hochreine Graphit-Heizelemente eingesetzt, welche mit Schrauben aus kohlefaserverstärktem Kohlenstoff fixiert werden. Die ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit des Graphits und die extrem hohe Reinheit sind dabei Grundvoraussetzung für diese Anwendung.

Dazu werden die Graphitbauteile in speziellen Reaktoren durch eine Hochtemperaturbehandlung von Restverunreinigungen von kleiner als 10 ppm gereinigt. Zur Vermeidung weiterer Kontaminationen werden alle weiteren Verfahrenschritte oder auch die Verpackung unter Reinraumbedingungen durchgeführt. Die größten derzeit in den Standardanlagen eingesetzten Graphit-Heizelemente besitzen einen Durchmesser von bis zu 1000 mm.